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IC China2019丨浙江大学电气工程学院院长盛况:新能源为宽禁带半导体带来机遇

中国电子报4天前我想分享浙江大学电气工程学院院长:

功率半导体技术的发展与全球能源消耗密切相关。在过去的几十年和未来30年,我们正逐步减少化石能源的使用,并进一步增加可再生能源的使用。

可再生能源开发和节能需要电力电子技术。无论是光伏,风电,新能源汽车,都需要控制电能,而电能控制的核心部件是芯片,即能源供应芯片。电源芯片不需要细线宽,需要与应用紧密集成。在这方面,中国公司具有优势,因为市场需求掌握在我们自己手中并且最接近我们。

功率半导体芯片目前属于第三代,即由碳化硅和氮化镓代表的宽带隙半导体,其具有高导热率,高击穿电场,低介电常数,高禁带宽度和饱和漂移速度。一系列优点。以新能源汽车电机驱动器为例,使用宽带隙半导体芯片可以提高效率,节省冷却系统体积,增加功率密度,并将电池效率提高10%,这是一个很大的比例。

碳化硅电力电子器件主要包括二极管和mosfet。在碳化硅二极管器件产品方面,国内外20多家公司批量销售碳化硅肖特基二极管系列产品。产品技术已发展到第五代。采用薄板、沟槽等先进技术,不断提高性价比,可靠应用。显着提高;在碳化硅mosfet器件产品中,1700v以下中低压产品的性能可靠性满足应用要求,产品发展到第三代,采用了新的栅氧化、沟道结构等技术,并且导通电阻降低到第一代产品的1/3,阈值电压高温稳定性明显提高。

目前,世界十大碳化硅器件公司占据了98%的市场份额,没有中国公司,这是我们必须努力的方向。未来,宽带隙半导体产业的发展重点之一是碳化硅材料,特别是衬底所起的作用将越来越重要。目前国内企业在芯片加工方面还不是很稳定,但在未来5年内,会有一定的企业在市场上确定芯片加工技术的稳定性和质量。

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0x251C编者按:最近,第二届全球IC企业家大会在上海举行。作为六个子论坛之一的化合物半导体产业趋势论坛同时举行。分论坛由中国CIC集成电路研究所、中国宽频带功率半导体及应用产业联盟主办。主题是[0x9a8b],会议的专家是化合物半导体。讨论了材料、芯片和设备的发展现状和未来趋势。0x251浙江大学电机学院院长:

功率半导体技术的发展与全球能源消耗密切相关。过去几十年和今后30年,我们面临着化石能源使用逐步减少和可再生能源使用进一步增加的局面。

可再生能源开发和节能需要电力电子技术。无论是光伏,风电,新能源汽车,都需要控制电能,而电能控制的核心部件是芯片,即能源供应芯片。电源芯片不需要细线宽,需要与应用紧密集成。在这方面,中国公司具有优势,因为市场需求掌握在我们自己手中并且最接近我们。

功率半导体芯片目前属于第三代,即由碳化硅和氮化镓代表的宽带隙半导体,其具有高导热率,高击穿电场,低介电常数,高禁带宽度和饱和漂移速度。一系列优点。以新能源汽车电机驱动器为例,使用宽带隙半导体芯片可以提高效率,节省冷却系统体积,增加功率密度,并将电池效率提高10%,这是一个很大的比例。

碳化硅功率电子器件主要包括二极管和MOSFET。在碳化硅二极管器件产品方面,20多家国内外公司分批销售SiC肖特基二极管系列产品。产品技术已发展到第五代。采用薄板,沟槽等先进技术,不断提高性价比,应用可靠。显着改善;在碳化硅MOSFET器件产品中,1700V以下中低压产品的性能可靠性满足应用要求,产品发展到第三代,采用新型栅氧化层,沟槽结构等技术,导通电阻降低对于产品的前1/3,阈值电压的高温稳定性得到显着改善。

目前,世界上十大碳化硅设备公司占据了98%的市场份额,没有中国公司,这是我们必须努力的方向。在未来,宽带隙半导体工业的发展重点之一是碳化硅材料,尤其是衬底所起的作用将变得越来越重要。目前,国内企业在芯片加工方面并不是很稳定,但在未来五年内,市场上会有一些公司确定芯片加工技术的稳定性和质量。